1. 電阻率測量范圍：大于2Ω·cm

2.壽命測試范圍：5到7000μSμs；

3. 測量重復(fù)性誤差≤±20%

4.光脈沖發(fā)生裝置

重復(fù)頻率＞20-30次/s，光脈沖關(guān)斷時(shí)間：0.2-1μs，余輝＜1μs

5.紅外光源波長： 1.09μm（測量硅單晶）。

6.脈沖電源：5A-20A

7.高頻源:高頻振蕩源：石英諧振器；頻率：30MHz；低輸出阻抗，輸出功率＞1W

8. 放大器和檢波器

放大倍數(shù)約25倍，頻寬：2Hz-2MHz

9．可測單晶尺寸：斷面豎測：直徑25-150，厚度2mm-500mm。

                            縱向臥測：直徑5mm-150mm，長度50mm-800mm。

10、配用示波器

（1）頻寬0—40MHz；
（2）電壓靈敏：10mV/cm；

11.體積：460mm×320mm×100mm；重量：20KG。